スピントロニクス

191.01
マイクロ波アシスト磁気記録用スピントルク発振素子の新規評価手法
190.01
ベイズ推定を用いた新たな電子構造の解析法を開発
186.01
トポロジカル反強磁性金属の超高速スピン反転を実証
184.01
高磁気抵抗比と巨大垂直磁気異方性を示す新規磁気トンネル接合の理論提案
183.01
スピンを用いた新しい論理演算デバイスの室温動作実証に成功
181.01
一方向にのみ電気抵抗がゼロとなる超伝導ダイオード効果を発見
180.01
巨大なスピンホール効果を示す非平衡Cu合金を発見
173.01
反強磁性薄膜のテラヘルツ帯での異常ホール効果の室温測定に成功
171.02
X線自由電子レーザーでスピンの超高速ダイナミクスを観測
169.01
異常ホール効果による磁化スイッチングに成功
168.01
CoFeB/MgO磁気トンネル接合における極薄MgO層の内部の化学結合変化の観測
166.01
「軌道弾性効果」の実証 ~磁化配向の低電力電界制御に指針~
164.01
反強磁性体の磁化の動きを可視化
161.01
反強磁性絶縁体を介した長距離スピン輸送
160.01
単一物質で異方性磁気ペルチェ効果を初観測
158.01
2次元材料CrI3の磁性を電圧で制御することに成功
155.01
スピンネルンスト効果の観測に成功
154.01
Si/SiO2基板上に作成したMgAl2O4障壁トンネル磁気抵抗素子のTMR効果
149.01
スピン軌道トルクによる磁化ダイナミクスの時空間分解測定
147.01
放射光軟X線でスピンの超高速ダイナミクスを観測
146.01
デバイス中の活発な原子を探る
142.01
アモルファスからの結晶化による高規則度ホイスラー合金薄膜
136.02
CoFe多結晶薄膜のダンピング定数に関する実験・理論的研究
135.01
焼結ターゲットを用いたMgAl2O4スピネルトンネル磁気抵抗素子
134.02
新構造磁気メモリ素子を開発
130.01
バリスティック伝導極限におけるスピン蓄積の増幅
128.01
電圧誘起異方性変化による非線形強磁性共鳴
125.01
垂直磁化膜の磁化反転メカニズムの素子サイズ依存性
124.03
遅延回路を用いたスピントルク発振器の臨界電流・線幅の低減
124.04
超伝導体における巨大スピンホール効果
122.01
スピン軌道相互作用に起因したスピントルクの角度依存性の理論計算
117.02
共振器とのダイポール結合によるスピントルク発振器の線幅の最小化
117.01
熱流によって誘起されるスピントルクの磁化相対角度依存性の理論的研究
115.01
新しいフェムト秒時間分解磁気光学イメージング法の開発
114.01
スピン・ホール効果を介した強磁性絶縁多層膜における磁化ダイナミクスのシンクロナイゼーション
114.02
電圧誘起垂直磁気異方性によって制御されたスピントルク・ダイオード効果
114.03
垂直磁気異方性を示すNi/Co人工格子膜の磁壁エネルギー
111.03
Ta/CoFeB/MagOおよびTa/CoFeB/Ta多層膜のGilbertダンピング定数測定
110.01
スピン波の伝播における波数の制御、及びスネルの法則の確認
109.01
ナノスケールの極薄磁石の向きを垂直にそろえる新機構を発見
-強力な極薄磁石による超高密度不揮発性磁気メモリ開発に道筋-
107.01
正三角形パーマロイボルテックスコアを用いた可変周波数磁気共鳴を実現
102.01
配線材料を利用した3端子スピントロニクス素子の開発
96.01
Everspin社がスピン注入磁化反転型MRAMのサンプル出荷開始
94.02
新奇トポロジカル絶縁体Bi-Te-Se表面に有効質量ゼロの電子を観測
91.01
Ta膜の巨大スピンホール効果とメモリデバイス応用
91.02
STT-MRAMの20nm世代での熱安定性保証に目途
87.01
IBMとITRIがレーストラックメモリの動作を実証
85.01
電圧印加によるCoの強磁性/常磁性状態の制御に成功
85.02
非磁性相変化メモリー材料における電場誘起巨大磁気抵抗
83.01
東芝がギガビット級大容量スピン注入書き込みMRAMの基盤技術を確立
68.01
スピン波との相互変換による磁性絶縁体中の電気信号伝送
68.05
第29回スピンエレクトロニクス専門研究会「半導体・磁性体融合スピントロニクス」
60.04
MgO障壁を用いた2重トンネル接合で室温MR比1056%を実現
60.01
光電子顕微鏡(PEEM)とシングルショットKerr顕微鏡を用いて、パーマロイナノワイヤの磁壁移動の振る舞いを直接観測
59.01
システムLSIに適した微細化が容易な高速MRAM技術を開発
56.06
第24回スピンエレクトロニクス専門研究会「垂直磁化とスピンエレクトロニクス」
56.02
システムLSIへの組み込みが可能な32Mb MRAMを開発
54.01
磁壁のピニングポテンシャルの定量的評価に成功
53.01
混載用超高速MRAMマクロの500MHz動作実証に成功
53.04
第23回スピンエレクトロニクス専門研究会「バイオ・分子スピントロニクス」
44.01
CoCrPtワイヤを用いてドメインウォールの電流駆動に成功
43.01
有限バイアス下でのスピン注入トルクの直接測定に成功
43.02
スピン注入磁化反転、微弱磁場下で精度良く制御できることを発見
42.02
垂直磁化方式のMTJ素子で世界初動作
42.03
世界最高速250MHz・SRAM互換で動作するMRAMを開発
40.02
強磁性半導体(Ga,Mn)As中の磁壁運動に対する微弱電流と磁界の作用の違い
38.02
グラフェンスピントロニクス
37.02
膜面垂直通電型GMRヘッドの開発に成功(東芝)
37.04
MRAM実用化のためのダブルバリア垂直MTJ
34.01
国際ワークショップ「SPIN CURRENTS 2007」が開催
34.03
スパッタ形成されたNiFeポイントコンタクトで140%のMRを確認
33.02
2メガビットのスピン注入磁化反転RAMチップ試作に成功
32.02
MMM/Intermag 2007における分子スピントロニクス分野の講演から
31.02
フルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合における大きな室温磁気抵抗効果
31.05
有機半導体バリア層を用いた磁気トンネル接合TMR効果を室温で発見
28.02
フリースケール社、4MビットMRAMを世界で初めて商用化
28.04
金属ナノ構造素子におけるスピンホール効果の観測
28.05
Mn拡散を抑制した高耐熱MTJ膜の開発
26.03
分子関連の国際会議における分子スピントロニクスの最新動向
25.02
東芝とNEC、256Mビット級MRAMの基盤技術を開発
24.03
バリウムフェライト磁性体を用いた磁気テープ媒体の開発
23.03
磁壁ダイナミクスの実時間観測
22.01
スピン流研究会:「金属と半導体における最近の発展」が開催された
21.01
東芝とNEC、16メガビットMRAMを開発
19.03
高集積・高速・低消費電力MRAMの実現に大きな期待
19.04
スピン注入磁気共鳴を利用したスピントルク・ダイオード
16.02
スピンエレクトロニクスに関する注目すべき報告相次ぐ
15.05
半導体系スピントロニクス素子における伝導現象を解明
(http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2005/pr20050823/pr20050823/
(2005.8.23プレスリリース))
11.02
MTJ素子のスピン注入磁化反転電流がかなり下がってきた。
10.02
強磁性半導体の強磁性の起源を軟X線磁気円二色性で調べる
10.04
特許庁「MRAM・スピンメモリ技術」に関する標準技術集公開
09.01
IBMが3次元高集積磁気メモリのアイデアを披露
09.02
NiOを用いた不揮発性メモリRRAMの試作
09.03
スピン発光ダイオードを用いたスピンホール効果の測定
09.05
ナノ構造と磁性に関する最近の話題
08.05
(Ga,Mn)As/GaAs/(Ga,Mn)As CPP構造素子において1.7Kで150,000パーセントのMRを観測
07.01
MRAMとスピン注入技術の進展
06.02
パーマロイ膜をPt膜で挟み込んだ膜にスピンダイナミクスが関与か
06.03
デュアル・スピンバルブ型のTMR素子でスピン注入磁化反転を実現
04.04
室温で230%のTMR比を示す素子がスパッタ法で作製可能に!
03.06
量産可能なディスクリートトラック磁気記録媒体
03.08
バルク状のアモルファス鋼
03.09
半導体スピントロニクスの国際会議が開催された
03.10
TMR素子におけるスピン注入磁化反転と半導体中への高効率スピン注入
02.02
新機能スピントロニクス素子:強磁性ロジック回路素子
02.04
スピンポンピングによるスピンバルブ膜のαパラメータの増大
02.05
TMR効果における波動関数の対称性の重要性
01.02
CPPスピンバルブの特性にスピン注入磁化反転効果が影響
01.05
超高速磁気メモリの可能性:ピコ秒レンジのスピン再配列現象
01.09
単結晶Fe/MgO/Fe磁気トンネル素子で大信号出力の確認

前の記事

磁気物理

次の記事

磁気応用