42.03

分野:

スピンエレクトロニクス

タイトル:

世界最高速250MHz・SRAM互換で動作するMRAMを開発

出典:

NECのプレスリリース
(http://www.nec.co.jp/press/ja/0711/3001.html)

概要:

　NECはMRAMにおいて世界最高速となる250MHz動作の実証実験に成功した。既存の高速メモリSRAM(Static Random Access Memory)と同等の速度を実現し、システムLSIへの組込み用途の見通しが得られた。

本文:

　NECはMRAMにおいて世界最高速となる250MHz動作の実証実験に成功した。既存の高速メモリSRAM(Static Random Access Memory)と同等の速度を実現し、システムLSIへの組込み用途の見通しが得られた。この成果は11月に開催されたASSCC (Asian Solid-State Circuits Conference)で発表された。

　今回、動作実証に成功したMRAMは、容量が1Mbit、トランジスタ2個とMTJ1個からなるメモリセルおよび独自の回路方式を採用している。MTJへの書込みは電流により発生する磁界により行っている。今回の実証実験では、モニタ回路を使って、読み書き時のメモリ内部の波形を測定することで、250MHz動作におけるデータ出力までの所要時間が3.7ns(ナノ秒)と、高速動作を実際に確認した。今後はこの成果を更に発展させ、システムLSIに組み込んだ形での動作検証を目指し、設計・試作を重ねることにより、高速組込み不揮発性RAMの実現を目指す。

（NEC　末光 克巳）