スピントロニクス研究開発からデバイス応用まで

スピントロニクスは不揮発メモリMRAM等のデバイス革新により、情報社会を大きく変える可能性を持っています。本研究会ではスピントロニクスの研究開発からデバイス応用まで第一線で活躍されている研究者の方々にご講演をしていただきます。多くの方のご参加をお待ちしております。

開催日時:
2019年6月28日(金)13:00-17:15 (開場 12:30)
場所:
中央大学駿河台記念館320号室
参加費:
一般:1000円(消費税込) 学生:無料
世話人:
下村尚治(東芝メモリ)、 加藤剛志(名大)、
谷川博信(ソニーセミコンダクタ)、 岡田泰行(三菱電機)
問い合わせ先:
下村(東芝メモリ) 
e-mail. naoharu.shimomura_at_toshiba.co.jp(_at_を@へ変更してください)

プログラム
座長:谷川博信(ソニーセミコンダクタ)
13:00-13:40
「不揮発性メモリMRAMの新展開」

薬師寺 啓、野崎隆行、福島章雄、○湯浅新治 (産総研)
13:40-14:20
「MRAM arrayにおける単bit⊿E特性とretention特性の相関解析」

○都甲 大、中山昌彦(東芝メモリ)
14:20-15:00
「スピン軌道トルクを用いたスピン流型磁気メモリの磁化反転特性」

○塩川陽平、小村英嗣、積田淳史、石谷優剛、
須田慶太、柿沼裕二、寺崎幸夫、佐々木智生(TDK)
15:00-15:15
休憩(15分)
座長:岡田泰行(三菱電機)
15:15-15:55
「磁壁デバイスの新展開 -強磁性体からフェリ磁性体・反強磁性体へ-」

○小野輝男(京大)
15:55-16:35
「スピントロニクス熱電技術」

○大門俊介1、内田健一2、吉川貴史3、井口亮2、齊藤英治1
(1東大、 2物材機構、3東北大)
16:35-17:15
「MTJ/CMOS融合技術が切り拓く革新的AI/IoTデバイス」

○遠藤哲郎 (東北大)