34.02

分野:
磁気物理
タイトル:
CoFeB/MgO-TMR素子の高いTMR値の起源はCoFeB層での均一な磁気的応答
出典:
Applied Physics Letters 90(2007)092502.
概要:
 これまでTMR素子の電極に一般的に用いられてきた多結晶CoFe金属間化合物をアモルファスCoFeBに変えることで絶縁層のMgOの結晶化を促進し、従来に比べて高いTMR値を実現している。Montana州立大学・E. Negusseらは、X線磁気円二色性およびX線磁気散乱を用い、CoFeB/MgOの界面の磁気応答とCoFe/MgOのそれを比較することにより、CoFeB/MgO-TMR素子の高いTMR値の起源はCoFeB層での均一な磁気的応答であることを示した。
本文:
 
超高密度記録ハードディスクや磁気抵抗RAMに対応した読み取りヘッドの次世代デバイスへの応用として磁気トンネルジャンクション(MTJs)の開発や改良に、これまで多くの研究者が携わってきた。これまでTMR素子の電極に一般的に用いられてきた材料はFe, Co, Co-Fe合金などである。しかし最近アモルファスCoFeBを電極にもちいるとTMR値が劇的に上昇することが報告された。この原因をMontana州立大学・E. Negusseらは、X線磁気円二色性およびX線磁気散乱を用いて調べた。CoFeB/MgOの界面の磁気応答とCoFe/MgOのそれを比較することにより、その結果CoFeB/MgO-TMR素子の高いTMR値の起源はCoFeB層での均一な磁気的応答であることを示した。 

(高輝度光科学研究センター 水牧仁一朗)