第68回スピンエレクトロニクス専門研究会

テーマ:
スピントロニクスデバイス研究開発の最前線
開催日時:
2018年7月6日(金)13:00-17:15
場所:
京都大学化学研究所宇治キャンパス 共同研究棟大セミナー室 CL-110【地図の30番】
(京阪宇治線「黄檗」下車 徒歩約6分、JR奈良線「黄檗」下車 徒歩約5分)
参加費:
一般:1000円(消費税込) 学生:無料
世話人:
谷川博信(ソニーセミコンダクタ), 小野輝男(京大), 加藤剛志(名大), 白石誠司(京大)
問い合わせ先:
谷川(ソニーセミコンダクタ) 
Hironobu.Tanigawa_at_sony.com (_at_を@へ変更してください)

近年、スピンの自由度を利用したデバイスの研究開発が活況であり、製品化に向けた動きも多く見受けられます。本研究会では、スピントロニクスデバイスの研究開発においてご活躍されている方々から、最新の研究開発動向についてご紹介頂きたいと思います。多くの方のご参加をお待ちしております。

プログラム
座長:加藤剛志(名大)
13:00-13:40
「垂直CoFeB/MgO磁気トンネル接合ならびにそれを用いたメモリの特性と
加工プロセス」

○佐藤英夫1, 篠崎基矢1, 五十嵐純太1, J. Llandro1, 渡辺俊成1,5, 小池洋紀1,5,
齋藤 節1,5, 三浦貞彦1,5, 本庄弘明1, 5、井上博文1, 池田正二1,5, 野口靖夫1,5,
谷川高穂1,5, 安平光雄1,5, 大野英男1,康 松潤2, 久保卓也2, 高槻浩一2,
山下幸司2, 八木靖司2, 田村 亮3, 西村拓郎4, 村田 耕4, 遠藤哲郎1,5
(1東北大, 2東京エレクトロン, 3アドバンテスト,4キーサイト・テクノロジー, 5JST)
13:40-14:20
「Siウェハ上のエピタキシャルMTJ成膜と3次元積層化開発」

○薬師寺 啓1, 高木秀樹1, 鎌田親義2, 渡辺直也1, 倉島優一1, 菊地克弥1, 杉原 敦1,
福島章雄1, 久保田 均1, 天野 実2, 伊藤順一2, 與田博明2, 湯浅新治1
(1産総研, 2東芝メモリ)
14:20-15:00
「大容量・高速不揮発メモリVoltage Control Spintronics Memory (VoCSM)」

○下村尚治, 與田博明, 大沢裕一, 井口智明, 鴻井克彦, 白鳥 聡, 加藤侑志,
アルタンサルガイ ブヤンダライ, 及川壮一, 杉山英行, 清水真理子,
石川瑞恵, テイワリ アジェイ, 黒部 篤(東芝)
15:00-15:15
休憩(15分)

座長:小野輝男(京大)
15:15-15:55
「スピントロニクスデバイス製造技術の現状と課題」

○山本弘輝, 小野敦央, 難波隆宏, 森田 正, 森本直樹 (アルバック)

15:55-16:35
「TMRセンサ材料および素子開発の進展」

○大兼幹彦, 藤原耕輔, 安藤康夫 (東北大)
16:35-17:15
「スピン流を使った熱電変換素子の開発」

○石田真彦, 桐原明宏, 岩崎悠真, 澤田亮人 (NEC)