第10回磁性人工構造膜の物性と機能専門研究会

　「スピンエレクトロニクスの現状と将来展望」

スピンエレクトロニクスは，今まで半導体デバイスで利用してきた電子の電荷に加えて,電子の自由度の一つであるスピンを制御し,新しい機能デバイスを創造しようとする研究領域です．巨大磁気抵抗効果が発見されたのを契機に,強磁性体を用いたスピン依存伝導に関する研究の重要性が認識され,その後の強磁性トンネル接合における大きなＴＭＲ発見を促し,スピンエレクトロニクスという新しい研究領域が拓かれました．
最近では,ＭＲＡＭの応用など,ＴＭＲ効果を基礎とする応用研究も一段と勢いを増しつつあります．また，スピントランジスタなどの次世代スピンデバイスの構築という観点から，強磁性体から非磁性体のみならず半導体へのスピン注入も盛んに研究されている他，磁性半導体における強磁性発現にともない新しい磁性半導体デバイスも提案され，益々の研究領域の拡がりを見せています．
本研究会では，この分野で活躍されている方々に、最近の研究成果を紹介していただき，スピンエレクトロニクスの将来性を展望したいと思います。
スピンエレクトロニクス分野に携わる方々，関心がある方々の多くの参加をお待ちしております．

日時；	2001年10月23日（火）9:00 〜 16:45
場所；	機械振興会館　研修�T号室
協賛；	日本物理学会，応用物理学会，金属学会，電気学会，電子情報通信学会, IEEE Magn. Soc. Japan Chapter
参加費；	無料
資料代；	1,000円（会員，賛助会員，協賛学会員， 学生） 2,500円（非会員）
問合せ先；	日本応用磁気学会（03-3272-1761）
オーガナイザー；	斉藤好昭（東芝）、田中雅明（東大）、 大谷義近（東北大）、浅野秀文（名大）、石橋隆幸 （農工大）、鈴木良夫（日立）、荒木　悟（TDK）
プログラム
9：00−9：20	TMRを用いたスピンエレクトロニクスとは？　　　宮崎照宣（東北大）
9：20−9：40	半導体を用いたスピンエレクトロニクスとは？　　　田中雅明（東大）
9：40-10：30	強磁性トンネル接合の絶縁障壁と高速スイッチング特性 安藤康夫、林　将光、中村洋明、久保田　均、宮崎照宣（東北大）
10：30−11：20	ＭＲＡＭ技術の現状と課題　田原修一（NEC）
11：20−12：10	TMRの量子サイズ効果とその応用（共鳴トンネルトランジスタに向けて） 長濱太郎、湯浅新治、鈴木義茂、安藤功兒（産総研）
＜昼食12：10―13：10＞
13：10−14：00	スピン依存単電子トンネル現象とその応用 薬師寺　啓、三谷誠司、高梨弘毅（東北大）
14：00−14：50	金属/半導体グラニュラー構造における磁気抵抗スイッチ効果 秋永広幸（JRCAT産総研／東大物性研）
＜休憩　14：50−15：05＞
15：05−15：55	半導体ヘテロ接合変調ドープ構造、及び共鳴トンネル構造へのスピン注入 山田省二（北陸先端大）
15：55−16：45	半導体中のスピン制御とスピンコヒーレンス 大野裕三、大野英男、松倉文�}（東北大）

*研究会でのビデオ、写真撮影および録音は、ご遠慮いただいております。