専門研究会

「第8回磁性人工構造膜の物性と機能専門研究会」のお知らせ

テーマ:スピントロニクスの現状と将来 −最新トピックスからMRAMまで−
日時:2001年6月1日(金) 13:00〜17:10
場所:松下電器 松心会館 (京阪電鉄 門真市駅下車 徒歩5分)
参加費:無料
プログラム
13:00〜13:40 半導体ベースの超高感度磁気抵抗素子を目指して
 秋永広幸(アトムテクノロジー研究体/産業技術総合研究所)
13:40〜14:20 強磁性半導体ヘテロ構造」
 大野英男(東北大学 電気通信研究所)
14:20〜15:00 第一原理計算による半導体ナノスピントロニクス材料の
       マテリアルデザイン:予言と実験
 吉田博(阪大 産研量子物性)
15:00〜15:10 休憩 
15:10〜15:50 Magnetic tunneling junctions with low resistance
       and high TMR
 Jijun Sun, T.Uesugi, S.Araki, M.Matsuzaki
 (Data Storage Technology Center, TDK Corp.)
15:50〜16:30 TMR素子の磁化反転磁界抑制の可能性について
 平本雅祥,松川望,里見三男,杉田康成,小田川明弘,足立秀明,榊間博*
 (松下電器産業 先端技術研究所,*中尾研究所)
16:30〜17:10 不揮発性メモリとしてのMRAMへの期待
 高田裕(三菱電機 先端技術総合研究所)
オーガナイザ:榊間博(松下電器),伊藤顕知(日立),深見達也(三菱電機)
お問い合わせ:深見 E-mail: fukami@med.edl.melco.co.jp
          TEL: 06-6497-7511

<会場案内図>