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第36回「スピンエレクトロニクス専門研究会」
テーマ: 「スピンエレクトロニクス材料の新展開」

日 時: 平成23年8月22日(月)13:00 - 17:00
場 所: 中央大学駿河台記念館 680号室
オーガナイザー: 斉藤好昭(東芝),大嶋則和(NEC),大森広之(ソニー),早川純(日立)
問い合わせ先: 斉藤(東芝)yoshiaki.saito<at>toshiba.co.jp
(<at>を@にして送信下さい)
TEL: 044-549-2075
プログラム:
13:00-13:45 CoFeB/MgO垂直磁化トンネル磁気接合の開発
三浦勝哉1,2,3、池田正二1,2、山ノ内路彦1、佐藤英夫1、山本浩之3、甘華東1、水沼広太朗2、小泉遼平2、早川純3、松倉文礼1,2、大野英男1,2(1東北大CSIS、2東北大RIEC、3日立中研)
13:45-14:30 垂直磁化細線における電流誘起磁壁移動
深見俊輔1、大野英男1,2 (1東北大学 CSIS、2東北大学 RIEC)
14:30-15:15 MgAl2O4スピネル型バリアを用いた格子整合強磁性トンネル接合の開発
介川裕章((独)物質・材料研究機構)
15:15-15:30 休憩
15:15-16:15 金属・半金属中間層を用いた接合におけるCPP-GMR効果
窪田崇秀1、佐藤丈2、大平祐介2、大兼幹彦2、水上成美1、永沼博2、宮崎照宣1、安藤康夫2(1東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)、2東北大学大学院工学研究科)
16:15-17:00 CoFeおよびホイスラー合金Co2MnSiを用いたGaAsへのスピン注入
植村 哲也,秋保 貴史,原田 雅亘,松田 健一,山本 眞史 (北海道大学)