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第24回「スピンエレクトロニクス専門研究会」
テーマ: 「垂直磁化とスピンエレクトロニクス」
日 時: 平成21年1月16日(金) 13:00 〜 16:35
場 所: 名古屋大学IB電子情報館北棟8階 IB081講義室
名古屋市千種区不老町(地下鉄名古屋大学駅3番出口すぐ)
世話人: 大嶋則和(NEC),小野輝男(京大),榊間博(松下),綱島滋(名大)
問い合わせ先: 綱島滋(名大)tsunashi<at>nuee.nagoya-u.ac.jp
(<at>を@にして送信下さい)
プログラム:
13:00-13:40 垂直磁化方式スピン注入MRAMとそのスケーラビリティー
與田博明(東芝)
13:40-14:20 垂直磁化膜における磁壁電流駆動とMRAMへの応用
深見俊輔、鈴木哲広、永原聖万、大嶋則和、石綿延行 (NEC)
谷川博信、小山知弘、山田元、葛西伸哉、小野輝男 (京大)
14:20-15:00 垂直磁化 FePt を用いたスピンホール効果の研究
高梨弘毅(東北大)
15:00-15:15 休憩
15:15-15:55 垂直磁化膜におけるスピン注入磁壁移動シミュレーション
仲谷栄伸(電通大),小野輝男(京大)
15:55-16:35 マイクロ波磁界を用いた垂直磁化膜パターンのスイッチング磁界低減
能崎幸雄、大田正直、立石健太郎、成田直幸、白石壮馬、田中輝光、松山公秀(九大)