専門研究会
    第４０回光スピニクス専門研究会
    「ワイドバンドギャップ希薄磁性半導体」

    　半導体を構成する陽イオンの一部を磁性イオンで置換した希薄磁性半導体においては、 スピンとキャリアの二つの自由度が互いに強く相互作用し、様々な興味ある物性を示し ます。この現象を利用して磁気工学と半導体工学を融合する可能性も議論されていま す。
    　これまでは、(CdMn)Teや(GaMn)AsなどのCdTeやGaAsなどをベースとする物質が研究されてきましたが、近年酸化物半導体をベースとする新しい希薄磁性半導体が出現してきました。ベースとなるTiO2やZnOはワイドバンドギャップの半導体であるために、応用上も多くの可能性を秘めています。今回の専門研究会では、この新しいワイドバンドギ ャップ希薄磁性半導体の最近の発展の成果に関してご講演いただきます。
    　皆様、奮ってご参加ください。


    日 時: ５月８日（火）　１４：００〜
    場 所: 東京工業大学　（大岡山）百年記念館　第一会議室
    （大井町線・目蒲線　大岡山下車　徒歩１分）
    参加費: 無料

    -----------連絡先------------

    阿部正紀（東工大）E-mail: amasanor@pe.titech.ac.jp
    安藤功兒（産総研）E-mail: ando-koji@aist.go.jp

    −−−−−−−−−−プログラム−−−−−−−−−−−

    14:00−15:00　「コンビナトリアルケミストリーと遷移金属ドープ二酸化チタン薄膜の室温透明磁性」
    　　　　東工大　松本祐司、村上　真、高橋竜太、福村知昭、笵　暁娟、長谷川哲也、腰原伸也、鯉沼秀臣
    　　　　東北大　川崎雅司
    　　　　物質・材料研究機構　知京豊裕、Parhat Ahmet

    (15:00−15:15　休憩)

    15:15−16:15　「遷移金属を含むZnO薄膜の磁気光学効果」
    　　　　産総研　安藤功兒、斉藤秀和
    　　　　東工大　金政武、福村知昭、松本祐司、川崎雅司、鯉沼秀臣

    16:15-　全体討論