第36回光スピニクス専門研究会

「ZnO薄膜の新展開−その作製法と磁性」

いま、ZnOが新しい磁性半導体の創製、紫外レーザー発振材料への応用、 などの観点から注目されています。ZnO薄膜の新しい製法として(1)形態や 方位を容易に制限して、ドット構造も可能な、“光アシスト・ウェットプロセス”、 および(2)多種類の組成や構造をもった試料を目的に作製できる“コンビナ トリアル・PLD”法を開発しておられるお二人の講演者に膜作製法と、応用の 展望を語っていただきます。  多数の皆様のご参加をお待ちしております。

日 時: 2000年11月28日(火) 13:30〜17:00
場 所: 東京工業大学 (大岡山)百年記念館 第一会議室 (大井町線・目蒲線 大岡山下車 徒歩1分)
参加費: 無料
-----------連絡先------------
東京工業大学 電子物理工学専攻
阿部正紀
TEL:03-5734-3039, FAX:03-5734-2906
E-mail: amasanor@pe.titech.ac.jp

−−−−−−−−−−プログラム−−−−−−−−−−−

13:30-14:30 「配向ZnO膜の光アシスト・ウェットプロセス製法」
              伊崎昌伸氏(大阪市立工業研究所)

14:30-14:45 休憩

14:45-15:45 「コンビナトリアル・レーザーアブレーション法によるZnO磁性半導体の探索」
                        福村知昭氏(東工大・物質科学創造専攻)

15:45-16:15 全体討論