日本磁気学会　第52回化合物新磁性材料研究会

薄膜新材料の合成・分光・理論

日時：

2015年2月20日(金) 13:00 － 17:20

場所：

東京大学本郷キャンパス　化学本館2階講義室

参加費：

無料（当日受付）

資料代：

1,000円（会員，協賛会員，非会員，学生）

要旨：

　最近、水素化物や酸窒化物などで新しい薄膜材料が合成され、薄膜特有の新物性も報告されている。これらの物性の解明には、分光や理論の側面からの研究が必要不可欠である。
　本研究会では、薄膜材料の最新の話題について紹介いただき、薄膜合成・分光測定・理論計算の相互の議論の場を提供する。

プログラム

13:00-13:05

はじめに

13:05-13:45

　「低原子価Ti系薄膜の合成と超伝導物性制御」(PDF)
○吉松公平（東工大）

13:45-14:25

「～水素化物エレクトロニクスの創成を目指して～LiHエピタキシャル薄膜成長手法の確立と成長機構の解明」(PDF)
○大口裕之（東北大）

14:25-15:05

「薄膜におけるテラヘルツ分光とその応用」(PDF)
○高橋陽太郎（東大）

15:05-15:20

休憩

15:20-16:00

「酸化物ヘテロ構造を利用したペロブスカイトNi酸化物における新奇電子状態」(PDF)
○坂井延寿（KEK）

16:00-16:40

「J-PARC/MLF偏極中性子反射率計『写楽』の紹介とそれを用いた磁性薄膜の研究」(PDF)
○宮田登（CROSS）

16:40-17:20

「第一原理計算で探るエピタキシャル力を利用したアニオン配置制御とイオン伝導性増大の機構」(PDF)
○神坂英幸（東大）

18:30-

懇親会

詳細は下記までお問い合わせ下さい．
〒113-0033　東京都文京区本郷7-3-1 化学西館 2407号室
　　　　東京大学大学院理学系研究科化学専攻
　　　　近松　彰
　　　　Tel & Fax：03-5841-4354
　　　　e-mail：chikamatsu_at_chem.s.u-tokyo.ac.jp (_at_を@に変更してください。)