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第4回「スピンエレクトロニクス専門研究会」
日 時: 平成16年12月6日(月)13:00〜17:30
場 所: JAビル第1会議室
    千代田区大手町1−8−3
    地下鉄各線大手町駅下車徒歩約2〜5分
    JR東京駅丸の内北口より徒歩約10分
    (詳細はこちらの案内図をご参照ください
共 催: 茨城県中性子利用促進研究会・第4回ナノ磁性材料第研究会
テーマ: 中性子および放射光によるスピンエレトロニクス材料の評価
問い合わせ先: 片山(産総研) E-mail: t-katayama@aist.go.jp

プログラム:


座長:安藤功兒(産総研)
13:00 - 13:10 「はじめに」
   西原美一(茨城大理)
13:10 - 13:55 「放射光X線磁気円二色性による磁性材料の元素別磁化解析」
   中村哲也(SPring-8 /(財)高輝度光科学研究センター)
13:55 - 13:40 「単結晶Fe/MgO/Fe接合下部Fe原子層の磁気状態とトンネル 磁気抵抗効果」
   片山利一(産総研)
14:40 - 15:25 「中性子反射率によるGMR膜の磁気モーメント評価」
   平野辰巳(日立研)
15:25 - 15:40
--- 休憩 (15分)---


座長:加倉井和久(原研)
15:40〜16:25 「偏極中性子反射率計による,磁性薄膜・人工格子の研究」
   武田全康(原研)
16:25〜17:10 「J-PARC反射率計の概要と反射率法による非磁性物質界面の構造解析」
   鳥飼直也(高エネ研)

なお、講演時間には質問時間を含みます。
また、当学会では、ビデオ・写真撮影および録音はご遠慮頂いております。