日時：平成８年４月２６日（金）
場所：日本アイ・ビーエム大和事業所
連絡先：８２名
今回の研究会では，ＩＮＴＥＲＭＡＧ’９６で注目されたスピンバルブヘッド関係２件，垂直磁気記録媒体１件，マイクロマグネティクスの観点で興味深いアモルファスワイヤ１件の併せて４件の講演が行われた。
講演題目：
- アモルファスワイヤの磁区構造とセンシング機能
山崎二郎（九州工業大学 工学部）
- ＣｏＦｅ系スピンバルブＧＭＲヘッド<
佐橋政司（東芝 研究開発センター）
- ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅスピンバブルヘッドとＣｏＣｒＰｔ媒体を持いた５Gbit/In２記録
金井 均（富士通研究所）
- ＭＲヘッドを用いた垂直磁気記録における高Ｓ／Ｎ化の検討
池田圭宏（日本アイ・ビーエム）
九工大の山崎先生から，Fe-Si-BやCo-Si-Bなどのアモルファスワイヤの磁区構造に関する報告があった。ワイヤ内部のコアと表面に近いシェル磁区を調べ，またモデル化して，Ｍ−Ｈカーブがどうなるかを検討した。また，ワイヤ形成時のストレスの発生が時期特性に影響していることがわかった。複雑な磁区構造を解明した点で，まさにこの研究会にふさわしい発表であった。
東芝の佐橋さんからは，Ｃｏ−Ｆｅ膜とＩｒ−Ｍｎ膜とを使った，５Ｇｂｉｔ／ｉｎ２用スピンバルブヘッドの報告があった。耐食性とＣｕ層との相互拡散の点でこの二つの組成の膜は効果がある。約１．３ｍＶの出力が得られた。書き込みヘッドでは，上部磁極をＳｉＯ２膜に形成した溝に磁性膜を埋め込む方式により，トラック幅１μｍを実現した。このヘッドを２．５インチハードディスクドライブに組み込み，５Ｇｂｉｔ／ｉｎ２（２２５０ｋＢＰＩ，２０ｋＴＰＩ）の記録再生をすることに成功した。
富士通の金井さんからは，５Ｇｂｉｔ／ｉｎ２を実現するために必要な要素技術についての報告があった。スピンバルブヘッドでは，Ｃｏ−Ｆｅ膜を使ってＣｕとの相互拡散を防止し，トラック幅１μｍ，バイアス電流５ｍＡで０．５ｍＶの出力を得た。記録媒体としては，ＣｒＭｏ下地層上に形成した，Ｈｃ２５００ＯｅのＣｏＣｒＰｔＴａを用いた。２０ｋＴＰＩを実現するために，二段アクチュエータを採用した。
日本アイ・ビー・エムの池田さんからは，ＭＲヘッド用としてＣｒ量を多くした，低ノイズＣｏＣｒ垂直磁気記録用媒体の報告があった。Ｃｒ量を増加することにより，Ｍｓは下がるが，結晶軸の配向が改善される。また，膜面と垂直方向の結晶間の磁気的相互作用が大きくなり，膜厚が大きい場合にも，十分に媒体下部まで書き込みが可能となる。膜厚３００ｎｍで３０ｄＢ以上と大きなＳ／Ｎ比を得た。
各講演とも，多くの質問や活発なディスカッションが行われ，予定よりも３０分以上遅れて終了した。その後，恒例の懇親会を行い，９：００過ぎまでディスカッションが続いた。
（日本ＩＢＭ 豊岡 記）
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